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通过在衬底的表面上形成预有源图形，同时避免用磷掺杂预有源图形制造集成电路场效应晶体管。预有源图形包括互相交替地层叠的一系列层间沟道层和沟道层。在预有源图形的相对端处的衬底上形成源区／漏区。然后有选择地除去多个层间沟道层，以形成穿过预有源图形...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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