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一种单晶性薄膜，该薄膜是在基底层上形成的薄膜，其特征在于，上述薄膜包含与上述基底层不同的物质， 在上述基底层和上述薄膜中共同包含的特定的原子层在上述基底层与上述薄膜的界面中被共有， 在从上述界面起到上述薄膜的单位晶格１００个以内...该专利属于住友电气工业株式会社、财团法人国际超电导产业技术研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社、财团法人国际超电导产业技术研究中心授权不得商用。