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通过在凹槽中形成金属－氮化物层可以在集成电路中形成金属层，包括在凹槽底部的金属－氮化物层中的第一氮浓度，第一氮浓度小于紧邻凹槽开口的金属－氮化物层中的第二氮浓度。在凹槽中包括的金属－氮化物层上可以形成金属层。...
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