温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示一种制造其中外围区域的临界尺度减小的半导体装置的方法。该方法包括下列步骤：在包含单元区域及外围区域的基板上形成氮化硅层；在该氮化硅层上形成氧氮化硅层；在该氧氮化硅层上形成线型光阻图案使得该单元区域中的光阻图案具有大于最终图案结构宽...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。