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本发明提供了一个具有高迁移率和低界面电荷的栅叠层结构以及半导体器件，即包括该结构的金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）。在半导体器件中，本发明的栅叠层结构位于衬底和一个覆盖的栅导体之间。本发明还提供了一个制造本发明栅叠层结构的方法，...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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