温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成微电子结构的方法，其特征在于，包括：　　　　在基片层中形成一系列金属层，系列中的这些金属层由金属间间隙分开；　　　　平面化所述金属层和基片层以形成基本平面的表面；　　　　差别平面化所述基本平面的表面，以降低相对于金属层的水平高度的基...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。