下载半导体装置的制造方法的技术资料

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一种半导体装置的制造方法。目前,存在来自与基极区域相邻的槽部的结晶缺陷导致集电极-基极间产生接合漏电流的问题。在本发明中,在氧化硅膜(15)及TEOS膜(16)上形成开口部(17),距槽部(8)的上端部(18)具有隔开距离(t1)。利用开口...
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