温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种利用金属吸附形成具有均匀单原子阶的晶体表面的方法。该控制晶体表面形态的方法包括：在晶体的两端施加直流（ＤＣ）电压，以将晶体加热至预定的温度；及以预定的沉积速度，将金属原子沉积到加热至预定温度的晶体表面，同时保持施加ＤＣ电压，以...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。