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本发明涉及一种形成ＭＴＪ中隧道势垒的方法。作为磁隧道结的制造的一部分，在反应氧气（Ｏ↓［２］）中在“高电压”态下从Ｍｇ靶反应溅射沉积氧化镁隧道势垒，从而确保当Ｍｇ靶在其金属模式也就是没有或最小的氧化时发生该沉积。因为Ｍｇ靶的金属模式具有有限...
该专利属于日立环球储存科技荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日立环球储存科技荷兰有限公司授权不得商用。

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