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一种氮基半导体装置包括，基本上由氮基半导体构成的第一半导体层，置于第一半导体层上的并且基本上由不掺杂的或者第一传导型氮基半导体构成的第二半导体层。第一以及第二半导体层形成异质界面。栅极置于第二半导体层上。第一和第二沟槽在将栅极夹在之间的位置...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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