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一种改进的具有多个栅极氧化层的晶体管，栅极氧化层的厚度可以各不相同以适应不同的操作电压的要求。该晶体管的制造要点是在栅极氧化层区域进行硅离子植入并控制其植入参数，不同区域不同的植入次数，从而使这些区域的氧化速度不同，在后续的氧化步骤中生成不...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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