温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。