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本发明是有关于一种形成一具有可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构的方法，在一基板上形成一相对薄的含氮层藉以生产一可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构。此含氮层是由一氮硅薄膜和一氮氧硅薄膜所组成，此两薄膜的总厚度低于９００埃，一沟渠开口形成在此含氮层中并...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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