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一种制备ＦｉｎＦＥＴ装置（１００）的方法包括在绝缘层（１２０）上形成鳍结构（２１０）。该鳍结构（２１０）包括导电鳍。该方法还包括形成源极／漏极区（２２０／２３０）并在鳍（２１０）上形成虚拟栅极（３００）。可去除该虚拟栅极（３００），并可减小...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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