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本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－ｋ电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－ｋ电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－ｋ电介质层。...
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