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一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤３：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤４...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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