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本发明提供一种半导体元件及制造铜导线的方法，有关于以双步骤沉积来提高铜膜品质的方法或设备。该双步骤沉积技术包含了沉积第一铜膜，接着在适当的温度下进行退火以去除杂质。再进行第二铜膜的沉积，完成后进行第二次退火以除去杂质。第二铜膜的沉积可利用不...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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