下载无应力浅沟渠隔离结构的形成方法的技术资料

文档序号:3194300

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成无应力浅沟渠隔离(shallow  trench  isolation,STI)结构的方法,于浅沟渠隔离结构的沟渠表面沉积一非晶硅层,并以高温氧化的方式将非晶硅层氧化为二氧化硅层,以作为沟渠的衬底氧化层。此种衬底氧化层整体的厚度皆会...
该专利属于茂德科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过茂德科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。