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在形成半导体晶片上表面的材料上生长牺牲平面化层的方法，包括：（ａ）测定所述材料的不均匀厚度分布；（ｂ）基于所述不均匀厚度分布选择一个或多个工艺参数值，从而对所述材料进行平面化处理；以及（ｃ）采用湿式氧化法根据所述不均 ...
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