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本发明的目的是得到能以良好的稳定性固定由部分隔离区进行了元件隔离的元件形成区中的体区的电位的ＳＯＩ（绝缘体上的硅）结构的半导体装置。解决方法是在由部分氧化膜（３１）进行了元件隔离的元件形成区中形成由源区（５１）、漏区（６１）和Ｈ栅电极（７１...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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