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本发明是关于一种记忆胞，该记忆胞是由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中，穿隧介电层是设置于基底上，其材质为氧化铝铪，电荷陷入层是设置于穿隧介电层上，闸间介电层是设置于电荷陷入层上，而金属闸极层则是设置于闸间介...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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