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一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发明的结型场效应晶体管...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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