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在半导体衬底上淀积含硅或金属材料的保护涂层的方法包括在等离子处理室中在半导体衬底上溅射来自电极的这种材料。可以被淀积在涂覆低ｋ材料的多层掩模上和／或低ｋ材料上。可以在双镶嵌工序中使用该方法，以保护掩模和提高刻蚀选择率，以在刻蚀剂剥离工序过程...
该专利属于兰姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰姆研究公司授权不得商用。

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