温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成具有复合层的存储单元的方法被提出。此复合层具有一第一电极、覆盖此第一电极的一绝缘层与此覆盖此绝缘层的一第二电极。形成一侧壁空间，此侧壁空间包括一个具有第一电极与第二电极的可程序化阻抗材料。通过沉积覆盖在复合层侧壁上的可程序化阻抗材料...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。