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在具有全耗尽ＳＯＩ器件结构的电源管理半导体器件中以及在模拟半导体器件中，提供一种面积减小的ＥＳＤ保护电路，其ＥＳＤ保护器件保护内部元件不受ＥＳＤ影响，同时保证足够的ＥＳＤ强度。形成在ＳＯＩ半导体薄膜层上的ＮＭＯＳ保护晶体管，在形成于半导体薄...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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