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一种半导体器件，包括：栅电极，经由栅极绝缘膜形成在与沟道区域对应的硅衬底上；ｐ型源极和漏极区域，形成在栅电极上的侧壁绝缘膜各外侧的硅衬底中；一对ＳｉＧｅ混晶区域，形成在侧壁绝缘膜各外侧的硅衬底中且与硅衬底为外延关系，以便分别被源极区域和漏极...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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