温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明目的在于提供一种半导体装置，包括一个具有以ＳＯＩ结构绝缘分离的绝缘分离层４的ＮｃｈＭＯＳ晶体管（１）和一个用绝缘膜形成的电容器，减小硅衬底（Ｂ）的厚度来减小衬底电容量。ＮｃｈＭＯＳ晶体管（１）具有绝缘分离区域（５ａ、５ｂ）以使其成为完...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。