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提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用４通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第...该专利属于三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社授权不得商用。