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多级互连结构及在IC晶片上形成Cu互连的方法技术
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文档序号:3193123
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本发明公开了一种方法,用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前,用1-5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护,增加Cu和介质之间的粘附强度,并减小Cu的界面扩散。另外,薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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