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一种横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法。此方法包括下面步骤：（ａ）提供第一导电型的基底；（ｂ）于基底中形成第二导电型的井区，此井区具有极陡峭退后的井轮廓，在其中的掺杂浓度随着深度改变，而于井区的表面区域提供比位于井区的表面区域下面的区域低...
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