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本发明涉及在由已知半导体电子器件中使用的材料组成的基片上形成的包括氧化钼的半导体电子器件。本发明还涉及用于在由已在通常的电子和光子器件中使用的材料组成的基片上制造所述电子器件的新方法。适当的基片由诸如以下的材料组成：诸如硅和锗之类的单质半导...
该专利属于河东田隆所有，仅供学习研究参考，未经过河东田隆授权不得商用。

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