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一种半导体装置，在使侧面露出地布图的第１半导体层（３）上，选择外延生长形成第２半导体层（５），对第２半导体层（５）的表面进行热氧化，从而在第２半导体层（５）的表面形成栅极绝缘膜（６）后，介有第２半导体层（５）的侧壁地在绝缘层（２）上形成跨越...
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