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本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成ｐ－型金氧半导体电晶体，ｐ－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极／汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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