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本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成ＰＮ结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导...该专利属于财团法人ＳＥＯＵＬ大学校产学协力财团;三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人ＳＥＯＵＬ大学校产学协力财团;三星电子株式会社授权不得商用。