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本发明提供可有效除去晶片表面的Ｍｇ、Ｃａ的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ｃａ、Ｍｇ，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。...
该专利属于日立电线株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立电线株式会社授权不得商用。

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