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忱芯电子苏州有限公司
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高频高功率密度扁平化SiCMOSFET逆变器制造技术
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文档序号:31924954
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本申请涉及功率器件,公开了一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器,包括位于PCB板上的偶数组单管组,所述单管组阵列设置,每组所述单管组由多个单管并联而成。通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在PCB板上的功率回路杂感...
该专利属于忱芯电子(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过忱芯电子(苏州)有限公司授权不得商用。
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