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本申请涉及功率器件，公开了一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，包括位于PCB板上的偶数组单管组，所述单管组阵列设置，每组所述单管组由多个单管并联而成。通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在PCB板上的功率回路杂感...
该专利属于忱芯电子（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过忱芯电子（苏州）有限公司授权不得商用。

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