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本发明涉及一种半导体装置。在现有的半导体装置中，在栅极氧化膜薄且漏极区域由ＤＤＤ结构形成时，存在难以谋求漏极区域的电场缓和的问题。在本发明的半导体装置中，在Ｐ型扩散层（５）上面形成有薄的栅极氧化膜（１２）。在栅极氧化膜（１２）上面形成有栅极...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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