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一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的预定区域中形成沟槽；在所述沟槽之内形成将所述器件的有源区和场区分隔开的隔离结构；以及蚀刻所述半导体衬底的暴露区域使得所述暴露区域具有弯曲表面。在本发明的一特定实施例中，执行氧...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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