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本发明涉及一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在硅衬底的厚栅绝缘膜形成区域中选择性地蚀刻氮化膜和热氧化膜，其中在所述硅衬底上，与氮化膜一起形成热氧化膜，所述氮化膜形成在热氧化膜上，以及其中在所述ＳＴＩ形成区域中形成具有预定深度的...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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