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提供了一种具有如下结构的半导体器件；在距ｎ型或ｐ型的半导体衬底表面的一定深度设置高阻抗ｐ型半导体阱区；多个沟槽从阱区表面延伸到某一深度；栅绝缘膜形成在其上形成了沟槽的凹／凸部分表面上；栅电极嵌入在沟槽内。该半导体器件包括：栅电极膜，其设置在...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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