下载一种硅片卸载工艺的技术资料

文档序号:3191843

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本发明提供了一种可以去除刻蚀工艺过程中产生的聚合物的硅片卸载工艺,该工艺包括两个步骤:(1)初步硅片卸载;(2)消除静电卡盘表面残余电荷并去除图形硅片表面的聚合物。其中步骤(1)所使用的气体选自He和N↓[2]中的一种或其组合,步骤(2)所...
该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。

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