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一种裸晶的制造方法，在裸晶的制备过程中先对制程基材预制贯穿该制程基材的半穿隧式电路接点，再继续进行裸晶制备过程，使得所制成的裸晶至少具有一个半穿遂式电路接点贯穿的裸晶的制程基材，但不贯穿该裸晶，且该半穿遂式电路接点的一端构成该制程基材背面的...
该专利属于董玟昌所有，仅供学习研究参考，未经过董玟昌授权不得商用。

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