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在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管（ＴＦＴ）。由于形成在ＴＦＴ中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据ＴＦＴ的特性改变阳极氧化厚度。利用具有...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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