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在一个实施方案中，半导体器件被形成在半导体材料的本体中。此半导体器件包括分隔于沟道区的反掺杂的漏区。...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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