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具有电荷捕获存储单元的半导体存储器及其制造方法技术
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文档序号:3191520
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具有电荷捕获存储单元的半导体存储器,其中存储晶体管的每个沟道区的电流方向横切于相关的字线,所述位线被布置在所述字线的顶侧上并以一种方式与后者电绝缘,而且设有源-漏区的导电局部互连,该局部互连被安排在所述字线之间的间隙中的部分内,并以一种方式...
该专利属于英飞凌科技股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份公司授权不得商用。
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