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本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：（１）在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；（２）沉积过渡层与底电极薄膜；（３）再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；（４）通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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