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具有隔离存储单元与伪单元区域的存储阵列制造技术
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下载具有隔离存储单元与伪单元区域的存储阵列的技术资料
文档序号:3190872
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一种半导体存储元件结构包含沿着邻近于伪单元区域的存储单元区域边缘形成的隔离区域,以隔离该存储单元区域受到由该伪单元区域所产生的漏电流影响。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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