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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀所述高压器件区的衬底以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一栅氧结构以及在中压器件区的衬底表面形成第二栅氧结构。本发明还提供一种半...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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