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本发明提供一种半导体激光器阵列、半导体激光器单管及其制备方法，其中的半导体激光器单管包括外延结构，在外延结构上刻蚀有脊波导，在脊波导上靠近激光器后腔面的位置刻蚀有光栅，光栅包括与激光器后腔面平行的模式选择区和与激光器后腔面形成预设角度的模式...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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