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一种形成在半导体晶片上的高值多晶硅电阻器，该高值电阻器包括：　　　　至少一个氧化物层，　　　　制作在所述至少一个氧化物层上的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层具有露出至少一个氧化物层的图案化且被腐蚀的开口，该被腐蚀的开口的外围限定了垂直边缘，　...
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